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来源:admin日期:2020/07/14

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  圖17中所示即爲外外浮雕光柵模板制備或小批量制備工藝流程圖,囊括其掃描電鏡圖。看待直光柵,其工藝較爲成熟,開始正在基底上旋塗抗蝕劑層,通過插手曝光或電子束曝光告終光柵的圖案化,之後詐騙反映離子刻蝕(RIE)或電感耦合等離子體刻蝕(ICP)將圖案遷徙到基底,並將抗蝕劑層去除,告竣直光柵的制備。因爲勻稱性題目導致以HoloLens爲代外的斜光柵光波導無法直接采用反映型刻蝕計劃企圖,于是制備工藝較爲紛亂,須要采用聚焦離子束(focused ion beam etching,FIBE)、離子束刻蝕(ion beam etching,IBE)、反映離子束刻蝕(reactive ion beam etching,RIBE)時間所制備。歸納斟酌到結果和勻稱性,RIBE是個中較爲適合的計劃。開始,將基底上通過物理或化學手法鍍一層硬掩模(如Cr)層,之後旋塗一層抗蝕劑層。同樣詐騙插手曝光或電子束曝光實行圖案化,之後通過氯幹刻蝕工藝將抗蝕劑圖案遷徙到Cr層。正在刻蝕工藝之後,用氧等離子體法剝離殘剩的抗蝕劑層。接下來應用基于氟基的RIBE工藝用電離的氩離子束以傾斜的角度入射基底。正在反映離子束刻蝕之後,通過尺度的濕法刻蝕工藝去除Cr掩模,獲取具有優越勻稱性的斜光柵。

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  北京商報訊(記者 陶鳳 王晨婷)7月13日,北京市召開新冠肺炎疫情防控消息頒發會。北京市疾病提防管制核心副主任劉曉峰先容,7月12日0時至24時,北京無新增呈報確診病例、疑似病例,已不斷7天無新增確診病例呈報。